Decree of the Federal Minister for Economic Affairs, on Amendments to Decree on the Semiconductor Protection, Austria

Verordnung des Bundesministers für wirtschaftliche Angelegenheiten, mit der die Halbleiterschutz-Verordnung, BGBl. Nr. 528/1988, geändert wird

Auf Grund der §§ 9 Abs. 4 und 10 Abs. 4 des Halbleiterschutzgesetzes, BGBl. Nr. 372/1988, zuletzt geändert durch die Halbleiterschutzgesetz-Novelle 1996, BGBl. Nr. 428/1996, wird verordnet: Die Halbleiterschutz-Verordnung, BGBl. Nr. 528/1988, wird wie folgt geändert:

1. § 2 Abs. 1 lautet: „(1) Der Antrag auf Eintragung des Schutzes der Topographie in das Halbleiterschutzregister (§ 9 Abs. 2 Z 1 HlSchG) muß enthalten

1. den Namen und die Anschrift des Anmelders sowie gegebenenfalls seines Vertreters,
2. bei natürlichen Personen die Staatsangehörigkeit oder den gewöhnlichen Aufenthaltsort, bei juristischen Personen oder diesen gemäß § 5 Abs. 1 HlSchG gleichgestellten Gesellschaften die tatsächliche und nicht nur zum Schein bestehende gewerbliche Niederlassung oder Handelsniederlassung.“

1. § 2 Abs. 4 lautet: „(4) Wenn die Anspruchsberechtigung auf § 3 Abs. 3 des Halbleiterschutzgesetzes gestützt wird, sind Angaben über die Staatsangehörigkeit und den gewöhnlichen Aufenthaltsort oder über den Ort der tatsächlichen und nicht nur zum Schein bestehenden gewerblichen Niederlassung oder Handelsniederlassung des nach § 3 Abs. 1 oder 2 des Halbleiterschutzgesetzes ursprünglich Anspruchsberechtigten, über die von diesem eingeräumte ausschließliche Zustimmung, die Topographie im gesamten Geltungsgebiet des Abkommens über den Europäischen Wirtschaftsraum nicht nur vertraulich geschäftlich zu verwerten, sowie über das Datum des Tages der ersten nicht nur vertraulichen geschäftlichen Verwertung der Topographie in einem Mitgliedstaat der Europäischen Union oder in einem anderen Vertragsstaat des Abkommens über den Europäischen Wirtschaftsraum erforderlich.“
2. § 6 lautet:

㤠6. (1) Diese Verordnung tritt mit 1. Oktober 1988 in Kraft.

(2) § 2 Abs. 1 und 4 in der Fassung der Verordnung BGBl. Nr. 439/1996 tritt mit Inkrafttreten der Halbleiterschutzgesetz-Novelle 1996, BGBl. Nr. 428/1996, in Kraft.“

Ditz